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IRFR/U15N20DPbF
10000
VGS = 0V,    f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = C gd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 10A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
1000
Ciss
12
100
Coss
8
10
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
1
10
100
1000
0
SEE FIGURE 13
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
Q G , Total Gate Charge (nC)
100
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 ° C
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
10
T J = 25 C
1
°
10
1
Tc = 25°C
100μsec
1msec
10msec
0.1
0.0
V GS = 0 V
0.4     0.8     1.2     1.6     2.0     2.4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10 100 1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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